工商時報【涂志豪╱台北報導】
記憶體漲價漲不停！由於三大DRAM廠標準型DRAM占產能比重降至兩成以下，導致10月份DRAM合約價大幅飆漲20～25％，其中，主流的4GB DDR3╱DDR4模組合約均價大漲20.7％至17.5美元，4GB DDR3╱DDR4晶片合約價則飆漲25.3％達1.88美元，均創今年來新高價。
法人也看好DRAM價格將續漲至年底，台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。
根據集邦科技統計，10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3╱DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅高達20.7％；4GB DDR3╱DDR4晶片合約均價則由1.50美元漲至1.88美元，單月漲幅衝上25.3％。高階規格的8GB DDR4模組合約均價同樣大漲逾20％達35美元，普遍來看，10月標準型DRAM合約價大漲20～25％，創下今年來新高價外，也是一年來新高價。
不僅DRAM合約價大漲，現貨價也持續走高。4GB DDR3╱DDR4原廠顆粒現貨價10月大漲18～20％，均價已衝上2.50美元左右。由於現貨價及合約價間仍有3成以上的溢價差，因此業界普遍看好DRAM合約價將一路漲到年底，而受到標準型DRAM價格大漲帶動，10月利基型DRAM合約價亦順利調漲3～6％。
集邦科技旗下記憶體事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由於原廠產能陸續轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM後，標準型DRAM產能已低於20％以下，加上廠商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型DRAM出現歷年少見在無工廠意外情況下而價格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產品在第4季皆有漲幅。
今年下半年DRAM價格漲勢兇猛，包括三星、SK海力士、美光等三大廠主要產能均已移轉生產Mobile DRAM及伺服器DRAM。由需求面來看，智慧型手機搭載容量拉高至3～4GB已有效去化Mobile DRAM產能，資料中心建置需求續增亦消化掉伺服器DRAM產能，整體來看，今年底三大廠手中庫存水位可能不到兩周，SK海力士就在日前法說會中指出其年底庫存將低於一周。
由製程上來看，三大廠20奈米製程已提升至產能的7成，但明年並沒有加快18/16奈米微縮計畫，同時也沒有興建新生產線動作。法人認為，明小木屋年DRAM市場位元成長率恐低於20％，將是8年來最低的一年，只要需求維持今年水準，明年DRAM市場將是全年供不應求。
受惠於DRAM合約價大漲，模組廠威剛受惠最大，不僅DRAM模組價格持續拉高，還賣到缺貨，上半年備妥的低價庫存將帶來明顯獲利。至於DRAM廠南亞科、華邦電等也受惠於合約價全面上漲，第4季營收可望較第3季明顯成長，將是今年營收及獲利最高的一季。
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